上海天岳碳化硅半导体厂房项目

项目位于上海市浦东新区泥城镇,场地地势较为平坦,地貌形态单一,属河口、砂嘴、砂岛地貌类型。场地主要由粘性土及粉性土、砂土组成,基坑深度范围内地下水属于孔隙潜水类型,主要受控于大气降水和地面蒸发等影响。基坑开挖面积为2557.5m2,周边延长米231.4m,开挖深度为6.6~7.6m。基坑上部1.5m放坡处理,下部围护结构采用型钢水泥土搅拌墙(SMW工法桩),支撑结构采用φ609*16圆钢管支撑,基坑被动区及深坑区域采用φ800@500高压旋喷桩加固,基坑内设置管井进行疏干降水。

上海天岳碳化硅半导体厂房项目

相关推荐

返回顶部