天津联想创新科技园项目

工程位于天津空港经济区二期,经三路与纬三道交界西北侧,场地地层分布自上而下依次为素填土、黏土、淤泥质黏土、粉质黏土、粉土、粉砂、粉质黏土。该项目地下部分为整体地下二层,局部地下一层,地下一层基坑深度5.60m,地下二层基坑深度9.5-10.1m,基坑南侧及东侧场地有限,基坑支护形式为上部放坡+钻孔灌注桩+内支撑,西侧及北侧场地开阔,支护形式为三级放坡+工字钢抗滑桩。止水帷幕采用三轴水泥土搅拌桩φ650@900mm双轴水泥土搅拌桩φ700@1000mm。

主体结构基础类型为桩基础,采用钻孔灌注桩、后压浆灌注桩,桩径为600mm,有效桩长约21-29m,桩端持力层为粉质黏土,单桩竖向承载力特征值分别为2100/4800kN。

天津联想创新科技园项目

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