本工程拟建项目位于于广州市黄埔区佛秋路，基坑开挖深度5.70m～8.10m，基坑内存在落深。根据钻探揭露，场地内地层自上而下依次为：人工填土层（Q4ml）、坡积土层（Q4dl）、残积土层（Q4el）和燕山期侵入岩（r52(3)）。场地地下水埋藏深度起伏略大，实测钻孔地下初见水位埋深为 3.5～6.0m，地下稳定水位埋深为 4.70～7.30m。场地水位埋深年变幅约 0.50～2.50m。场地现状为空地，生长杂草，拟建场地无埋藏的河道、池塘、墓穴、防空洞、孤石及溶洞等对工程具有不利影响的地下埋藏物。
综合考虑开挖深度以及周边地质环境，确定基坑安全等级为二级。基坑支护采用放坡+挂网喷砼、土钉墙支护形式。采用管井降水，并在基坑外围坡顶设置截水沟，防止地表降水流入基坑。
日月新半导体（广州）有限公司新建项目一期土建及一般机电包工程
•
基坑工程
